| Наименование |
Корпус |
Розн |
Опт |
Характеристика |
Инфо |
Купить |
| RJH60F7 |
TO-3PN |
500.00р. |
413р. |
N-ch IGBT транзистор |
 |
|
| RJH60T4DPQ-A0 |
TO-247 |
560.00р. |
385р. |
N-ch IGBT транзистор |
|
|
| RJK5010 |
TO3P |
1630.00р. |
1353р. |
|
|
|
| RJP30E2 |
TO-220F |
460.00р. |
379р. |
|
|
|
| RJP30E4 |
D²Pak |
240.00р. |
194р. |
|
|
|
| RJP30H2A |
D²Pak |
170.00р. |
138р. |
360В 35А N-ch IGBT транзистор |
|
|
| RJP63K2DPE |
D²Pak |
240.00р. |
194р. |
RJP63K2 N-ch IGBTтранзистор |
|
|
| RJP63K2DPK-M0 |
TO-3PSG |
1020.00р. |
845р. |
N-ch IGBT |
|
|
| RSS060P05 |
SO8 |
250.00р. |
206р. |
P-ch MOSFET |
|
|
| RSS070N05 |
SO8 |
210.00р. |
168р. |
N-ch MOSFET |
|
|
| RSS100N03 |
SO8 |
240.00р. |
194р. |
N-ch MOSFET |
|
|
| S2000AF |
TO-3PML |
300.00р. |
242р. |
NPN транзистор |
|
|
| SAP16NY |
SIP5 |
3489.00р. |
3489р. |
Darlington transistor for audio amplifier with temperature compensation |
|
|
| SAP16P0 |
SIP5 |
1370.00р. |
1136р. |
Darl. transistor for audio amplifier with temperature compensation |
|
|
| SGH80N60UFD |
TO-3PN |
520.00р. |
429р. |
IGBT транзистор: 600В 40А |
|
|
| SGL160N60UFDTU |
TO-264 |
3585.00р. |
3585р. |
discrete, high performance IGBT with diode |
|
|
| SGW30N60 |
TO-247 |
780.00р. |
649р. |
IGBT: 600В, 41А, G30N60 |
|
|
| SGW30N60HS |
TO-247 |
720.00р. |
599р. |
IGBT: 600В, 40А, мар-ка G30N60HS |
|
|
| SGW50N60HS |
TO-247 |
1580.00р. |
1314р. |
IGBT транзистор |
|
|
| SI2301BDS |
SOT23 |
40.00р. |
26р. |
P-ch 2.5V MOSFET |
|
|
| SI2302CDS-T1-E3 |
SOT23 |
40.00р. |
33р. |
N-ch 20V (D-S) MOSFET |
|
|
| SI2307BDS-T1-E3 |
SOT23 |
90.00р. |
69р. |
P-ch 30V (D-S) MOSFET |
|
|
| SI2308DS-T1-E3 |
SOT23 |
80.00р. |
59р. |
N-ch 60V MOSFET, мар-ка A8 |
|
|
| SI2312BDS-T1-E3 |
SOT23 |
80.00р. |
59р. |
MOSFET транзистор: N-ch, 20В, 5А |
|
|
| SI2318CDS |
SOT23 |
100.00р. |
80р. |
MOSFET транзистор: N-ch, 40В, 5.1А, мар-ка P9xxx |
|
|
| SI2318DS |
SOT23 |
90.00р. |
69р. |
N-ch 40-V (D-S) MOSFET |
|
|
| SI4410DY |
SO8 |
140.00р. |
109р. |
MOSFET транзистор: N-ch, 30В, 10А, S11N3LLH5 |
|
|
| SI4435DY |
SO8 |
120.00р. |
94р. |
MOSFET транзистор: P-ch, 30В |
|
|
| SI4463DY |
SO8 |
260.00р. |
212р. |
P-ch 2.5V MOSFET |
|
|
| SI4539ADY |
SO8 |
380.00р. |
316р. |
N- and P-ch 30V (D-S) MOSFET |
|
|
| SI4800 |
SO8 |
600.00р. |
494р. |
N-ch enhancement mode field-effect transistor |
|
|
| SI4814DY |
SO8 |
220.00р. |
181р. |
dual N-ch 30V (D-S) MOSFET with Schottky diode |
|
|
| SI4914BDY |
SO8 |
240.00р. |
192р. |
MOSFET 2N-ch 30V 8.4A |
|
|
| SI4914DY |
SO8 |
130.00р. |
105р. |
MOSFET 2N-ch 30V 8.4A |
|
|
| SI4925BDY |
SO8 |
170.00р. |
138р. |
P-ch 30В сдвоенный MOSFET транзистор |
|
|
| SI9926BDY |
SO8 |
400.00р. |
326р. |
dual N-ch 2.5V MOSFET |
|
|
| SKP15N60 ( K15N60 ) |
TO-220 |
330.00р. |
275р. |
15А, 600В IGBT транзистор, мар-ка K15N60 |
|
|
| SKW07N120 ( K07N120 ) |
TO-247 |
870.00р. |
721р. |
1.2кВ, 16А IGBT транзистор, мар-ка K07N120 |
|
|
| SKW30N60HS ( K30N60HS ) |
TO-247 |
540.00р. |
446р. |
30А 600В IGBT транзистор, мар-ка K30N60HS |
|
|
| SMBT2222A |
SOT23 |
15.00р. |
6р. |
транзистор NPN, 40В, 0.6А |
|
|
