IR
Сравнение товаров (0)
диод Шоттки: 100В, 1А, мар-ка V10 B1C, = MBRS1100T3G 10BQ100TR B1100LB STPS1H100U..
40.00р.
диод Шоттки: 40В, 3А, мар-ка B34, IR34, = CMSH3-40 STPS340S SS34 STPS3L40S..
40.00р.
реле твердотельное: 1A, 60В..
470.00р.
реле твердотельное, = AQV203 AQV217 AQV253H AQV253..
260.00р.
реле твердотельное, = LH1518..
190.00р.
реле твердотельное..
520.00р.
твёрдотельное реле: 400В, 0.14А, = AQV210(E)(H) LH1530 TLP596G TLP597G XCA110 XCA120 LCA110(L) LH1056 LH1085 LH1191 LH1504 LH1525 LH154..
230.00р.
реле твердотельное, = PS7360-1A-A..
4620.00р.
диод ultrafast: 400В, 2x200А..
2189.00р.
диод Шоттки: 60В, 2.1А, мар-ка IR1H, = VS-10MQ060NTRPBF SS26 STPS2L60A MBRS260T3G STPS3L60U STPS1L60A B160 SK16 SK15 STPS160U 10BQ060..
30.00р.
диод Шоттки: 2 х 20А, 60В, общий катод..
440.00р.
тиристор: 1.2кВ, 40А..
360.00р.
сверхбыстрый диод: 8А, 600В, 18нс..
170.00р.
диод ultrafast: общий катод, 600В, 25А..
610.00р.
DC интеллектуальный ключ, = VN800S..
830.00р.
контроллер PFC, мар-ка 1150IS, -25...85°C, = IR1150S..
550.00р.
драйвер FET-IGBT..
520.00р.
силовой модуль..
1529.00р.
10А, 600В IGBT силовой модуль..
1925.00р.
10А, 600В IGBT силовой модуль..
1969.00р.
MOSFET транзистор: N-ch, 100В, 42А..
120.00р.
MOSFET транзистор: N-ch, 100В, 42А, мар-ка F1310NS..
170.00р.
MOSFET транзистор: N-ch, 30В, 190А, мар-ка 6727..
610.00р.
MOSFET аудио транзистор: N-ch, 150В, 28А..
430.00р.
MOSFET транзистор: N-ch, 60В, 160А..
280.00р.
MOSFET транзистор: N-ch, 150В, 56А..
170.00р.
цифровой аудио моп-транзистор..
980.00р.
MOSFET транзистор: N-ch, 75В, 195А..
1580.00р.
транзистор IGBT: 600В, 40А..
430.00р.
IGBT транзистор+диод: N-ch, 600В, 30А ..
320.00р.
IGBT транзистор: 1.2кВ, 41А..
400.00р.
IGBT: 600В, 60А, + диод..
730.00р.
IGBT транзистор: N-ch, 600В, 75А..
550.00р.
IGBT транзистор: 300В, 70А, мар-ка GP4086..
540.00р.
драйвер FET-IGBT, мар-ка S2109..
430.00р.
..
390.00р.
реле твердотельное..
180.00р.
Показано с 201 по 237 из 237 (всего 6 страниц)
